碳化硅陶瓷
碳化硅陶瓷 SiC
碳化硅陶瓷是硬度仅次于金刚石的材料，比其他陶瓷材料有更好的耐热性，人造刚玉陶瓷加工件，耐磨损性，在特别高温度的情况下（1700°C）其强度不会降低，属于高温构造材料。
主要用途：半导体制造装置用品；燃烧器喷嘴等。
碳化硅陶瓷的特种制备烧结技术：
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大，高温抗i氧化性强，耐磨损性能好，热稳定性，热彭胀系数小，热导率大，硬度高，抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、环境保护、空间技术、信息电子、能源等领域有着日益广泛的应用，已经成为一种在很多工业领域性能优异的其他材料的结构陶瓷。
SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-C键的离子性仅12％左右。因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。
因此，研磨不仅是为了达到一定的粗糙度和高的形状精度，而且也是为了提高工件的强度。研磨工程陶瓷用的磨料主要是B4C和金刚石粉。在研磨加工中，陶瓷件精加工，研磨参数选择合理时可以达到1Lm/m的形状精度和Ra<0.3Lm的粗糙度。抛光是采用软质抛光器和细粉磨粒以较低的压力作用于工件的一种精加工过程。软质抛光器以弹塑性方式保持着磨粒对加工工件的切深非常浅，通过产生微小的压痕进行加工。近几年抛光技又有了新的发展，如超声抛光、电加工复合抛光等。
弹性滑擦是指切削深度很小时，氮化铝陶瓷加工件，工件与磨粒之间仅作弹性接触滑动，此时不产生切屑。流动变形是指弹性变形和粘塑性流动造成少量磨屑和形成磨削表面的过程。流动变形的原因是由于磨粒切削刃的刃口钝圆半径r大，外锥角H小，在接触区容易形成较大非弹性应力场而避免或减少了裂纹产生和扩展，呼伦贝尔陶瓷加工件，从而发生流动变形。脆性断裂是形成切屑的主要过程，磨粒给予工件材料施压作用而使其产生裂纹，进而产生局部破坏形成切屑。对工程陶瓷材料的磨削机理的解释还很多，但总的来看有一点是共同的，即脆性断裂是形成材料去除的主要原因。磨削加工中，切屑的清除是一大问题，一般采用冷却工作液清洗。
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