半导体被称为国家的“产业大米”，是所有电子产品生产都不可缺少的原材料之一，不论是民用的电子产品还是高精尖的军用武器，其性能完全依赖于半导体产品的质量。目前市场产业链为IC设计（芯片设计）、IC制造（前道工序的晶圆加工）和IC封测（后道工序封装和测试）。而晶圆作为半导体行业的较重要的一环，更是国家大力扶持的项目之一。接下来为您介绍晶圆制程中保护膜的应用。
研磨用保护膜
根据晶圆尺寸要求或散热要求，有时需将晶圆背面研磨减薄至可接受的厚度，因此研磨制程也可称为“背研”或“减薄”，而研磨过程中需保证碎屑和研磨液不对晶圆造成污染，因此研磨前需在晶圆正面即线路面贴附保护膜。
晶圆中锡球的高度越高，研磨时越容易分散以导致晶圆破损或产生波纹，因此需赋予保护膜较好的应力缓和性及延伸性，因此对于高锡球和超薄晶圆的研磨，PO基材的保护膜更为适用。
晶圆用保护膜一般有普通蓝膜和UV固化减粘膜。UV膜的优势在于研磨后照射UV光使其粘性降低，可在低应力情况下进行剥离作业。高清洁性可保证研磨过程中微观粒子的转移非常少，研磨过程后不需要额外的清洗过程。
切割用保护膜
晶圆切割（即划片）将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离，先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层保护膜（WaferMount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞。
与研磨用保护膜类似，切割用保护膜也分为非UV的蓝膜及UV减粘膜，蓝膜成本较低，且适用于大芯片和较厚类型的晶圆；UV膜成本较高但效率较高，尤其适用于小尺寸和超薄类型的晶圆。
针对晶圆工艺，UV保护膜需满足如下要求：
1.强力的黏着力以固定晶圆，即使小芯片也不会发生位移等问题。
2.用紫外线照射降低黏着力，即使是大芯片也能轻松地捡拾芯片。
3.确保胶黏剂不对IC产生污染
