晶体闸流管俄罗斯市场CUTR认证

晶体闸流管又称做可控硅整流器，曾被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出晶闸管产品，并于1958年使其商业化。

晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

晶闸管在工业中的应用越来越广泛，随着行业的应用范围增大。晶闸管的作用也越来越全面。有时候，晶闸管在使用过程中会造成一些伤害。为了保证晶闸管的寿命，

晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。

晶闸管过电流保护方法常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏；不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内，熔断时间极短，可以用来保护晶闸管。

晶体闸流管出口俄罗斯市场，按电子产品做海关联盟CUTR020电磁指令认证。