产品远红外发射率检测
4测量步橐
4.1对待测试样施加额定工作电压，待温度稳定后，用辐射测温仪测定试样表面温度分布，并确定
其中心邮位的等温区以及等温区的工作温度，然后断电冷却至窒温。
4.2将试样固定 在试样支架上，调整光学系统达到下列要求:
4.2.1探测器光敏面与调制盘平面，光栏平面，试样辎射面及单色仪入射狭缝平面相互平行且共
4.2.2光学系统所决定的试样待测面积相对于探测器可作“点源”近似，且位于等温区内并小于等温区而积。
4.3将控温仪热电 偶焊接或粘接于待测面附近(在等温区内).用控温仪将待测表面温度控制在其工作温度。待温度稳定后，开启单色仪的扫描装置，使之在2.5~15μm被长范围内进行连续扫描，同时使记录仪的走纸机构与之同步，测出放大系统输出的试样与调制盘差分光谱信号电压U。.随破长变化的关系曲线。
4.4关闭控温仪，试样冷却至室温后，在等温区内均匀涂覆参比徐料，徐覆厚度为0.2mm,涂覆方法与获取其发射率数据的原测量方法中的一致。然后开启控温仪(设定温度与4.3条相同).温度稳定后，按4.3条的方法删出放大系统输出的参比徐料与调制盘差分光谱信号电压U,随被长变化的关系
曲线。
4.5移开试样，浏量故大系统输出的背甓与调制盘差分光谱信号电压U。随波长变化的关系曲线
(方法同4.3条)●
4.6用辐射厕 温仪测量等温区的表观工作温度T,.
5测量结果计算
按下式计算试样在工作温度下的光谱法向发射率，结果保留二位有效数字:
es=-
(Vx-V-s土Rr.K.Pa:.48) .
(U-U. + R.K.Po.Ah)"“
式中: 6ax- -试样在工作温度下的光谱法向发射率，无量纲:
参比徐料在试样工作温度下的光谱法向发射事(取表观工作温度T,下的数值)，无量
U,- -试样与调制盘差分光谱信号电压，mV;
Uis一参比徐料与调制盘差 分光谱信号电压，mV ;
23.
U.n-一背景与调制盘差分光谱信号电压，mV,
R.-- -探测墨光谱响应率，mV /m W I
K- -放大系统电压放大系数，无量纲;
0λ-一单 色仪谱线宽度，μm1
Pox--探测器接收的背景光谱辐射功率(将背景作黑体处理，用点源公式计算给出) ,
m w/um.
6测量记录
每次测量应记录下列内容:
6.1 试样名称，规格型号及送样单位
6.2测量装置中设备、仪器名称及型号:
6.8光学系统参数及其他仪器工作参数:
6.4测量条件,
6.5测量结果;
6.6测量日期和测量人员。