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存储类FLASH芯片，如东芝，三星，海力士，镁光，华邦。
通信类电子元器件，如通信IC、通信模块、功率模块、CPLD、内存、大功率IBGT、DSP、服务器CPU、硬盘、服务器网卡等。
通讯类电子元器件，如通讯IC、电脑CPU、手机CPU、GPU、高通芯片、联发科芯片、内存FLASH、EMMC、鼠标IC、驱动IC等。
电源类电子元器件，如电源IC、MOS管、电解电容、钽电容、电源成品、IG模块、UPS主控MCU、DSP、电源板等。
家电类电子元器件，如家电IC、MCU、单片机、继电器、电解电容、MOS管、IBGT等。
工控类电子元器件，如工控IC、DSP、单片机、硬盘等。
安防类电子元器件，如安防IC、CCD、感光芯片、OV芯片、镁光芯片、摄像头及组件、主控等
汽车电子类电子元器件，如MCU、DSP、驱动芯片、单片机、内存FLASH、液晶屏、WIFI模块、收音模块、蓝牙芯片、CSR芯片、蓝牙模块等
消费类电子元器件，如：数码相机主控、玩具用IC、内存、液晶屏等。
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PN结如下图所示：在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散，扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电，靠N区一侧带正电，形成由N区指向P区的电场。即PN结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层。下面分两种情况讨论PN结的导通特性。PN结加上正向电压将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，在正向电压作用下，PN结中的外电场和内电场方向扩散运动和漂移运动的平衡被破坏，内电场被削弱，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动，多数载流子很容易越过PN结，形成较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，处于导通状态。
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