半导体显微结构表征分析
显微结构表征是指通过显微镜等仪器来研究无机材料、复合材料、各种新材料等的显微组织大小、形貌、分布、数量的一种方法。
由于对复杂结构的高质量、快速分析和成像的需求日益增加，gaoji（扫描）透射电子显微镜(S)TEM已成为所有前沿晶片制造工作流程的必要部分。半导体设计师需要提供出色的灵活性和稳定性以及高分辨率成像的分析工具，以便正确分析和优化器件性能。
除了成像外，还可对(S)TEM仪器使用一系列对半导体器件表征至关重要的技术，包括：用于晶体定向映射或应变分析的电子衍射、用于定性或定量成分分析的能量散射X 射线谱(EDS) 和用于成分和化学信息的电子能量损失谱 (EELS)。
服务范围
支持截面观察、量测与成分分析、与制备高质量的TEM样品等。
常用检测方法
FIB、SEM、TEM、球差TEM、EDS、EELS等。
设备照片
| 场发射扫描电镜（SEM） | 场发射透射电镜（TEM） | 球差场发射透射电镜（球差TEM） | 聚焦离子束（FIB）制样 |
