霍尔效应测，主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，
霍尔效应测是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
可测试材料
1.半导体材料：SiGe， S1C， InAs， InGaAs，InP， A1GaAs，HgCdTe和铁氧体材料等等。
2.低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
3.高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN,CdTe等。
