长晶长电科技贴片芯片CJBA3134K DFN1006-3L二极管三级管mos管稳压芯片

更新:2025-01-26 09:00 编号:36338180 发布IP:112.81.15.9 浏览:2次
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长晶长电科技贴片芯片CJBA3134K DFN1006-3L二极管三级管mos管稳压芯片

CJBA3134K 丝印 34 DFN-3L (1x0.6) 封装 原装zhengpin (江苏长电 / 长晶)1

详细介绍了长电长晶的 CJBA3134K 芯片,该芯片为 N 沟道场效应管(MOSFET),其漏源电压(Vdss)为20V,漏极电流 (Id) 为 750mA,漏源导通电阻 (RDS On) 为 500mΩ,栅源电压 (Vgs) 为1.1V,Zui大耗散功率为 100mW,工作温度范围为 - 55℃到 150℃,适用于家用电器、3C 数码、智能家居等领域。

长电长晶 CJ 科技工业级 IGBT 芯片的高效与可靠性产品

未直接提及 CJBA3134K 芯片,但介绍了长电长晶 CJ 科技在半导体领域的技术实力和创新精神,以及其工业级 IGBT芯片的高性能和高可靠性,可作为了解长晶长电科技整体技术水平和产品质量的参考。

长电长晶 cj 科技:打造高性能工业级 IGBT 芯片解决产品提供商

同样未具体涉及 CJBA3134K 芯片,但有助于了解长电长晶 CJ科技的研发能力、生产设备以及在工业级芯片方面的解决方案和服务,从侧面反映该公司其他芯片产品的质量和性能保障。

一文搞懂 MOS 管和三极管2

主要介绍了 MOS 管和三极管的结构、工作原理、特性及区别等基础知识,可帮助理解 CJBA3134K 作为 MOS管的工作原理和在电路中的作用,以及与三极管的对比


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