参数 | 方阻 | 电阻率（厚度180um） | 方法 | |
探头量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω∙cm | 涡流法 | |
探头性能 | 动态重复性 | 静态重复性 | 示值误差 | |
1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω∙cm） < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω∙cm） < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω∙cm） < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω∙cm）< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探头Ф20*145mm | 下探头Ф20*50mm | ||
信号采集 | 采样率：大1500Sps | |||
采样个数：大512点/单次 | ||||
采样缓存：8级数据记录缓存 | ||||
数据传输：RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
传输协议：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用户自定义协议等 | ||||
供电电源 | 24V/1A | |||
非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪，表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
