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SU-8软烤（光刻胶的第yi次烘烤）

软烘烤的目的是蒸发溶剂，使 SU-8 光刻胶更坚固。蒸发会稍微改变层的厚度，并准备好暴露在紫外线下的 SU-8光刻胶。实际上，大约 7% 的溶剂量可以实现良好的曝光。

这将取决于层的厚度，但请记住，有问题的点将是 SU-8光刻胶内部的机械应力。为了尽可能地减少这种压力，你必须稍微加热和冷却。使用热板来烘烤 SU-8光刻胶，它可以让您从晶片的底部到顶部都有热量，从而有利于溶剂蒸发。

对于渐进式加热，纯硅模具，我们建议您遵循特殊的加热模式，第yi个平台为 65°C，第二个平台为95°C，每个平台的时间取决于 SU-8 光刻胶层的厚度。

在此步骤结束时，晶片可以在数周内保持在黑暗和平坦的表面上，继续并完成该过程而不会产生严重后果。

边缘SU-8光刻胶去除

边缘光刻胶珠粒去除步骤包括在旋涂之后去除晶片周围的光刻胶边缘珠粒。由于光刻胶的表面张力，出现边珠。正因为如此，光刻胶层在边缘较厚，高度即取决于光刻胶的粘度。

特别是对非常粘稠的光致抗蚀剂，其中，所述边珠可以上升几个微米，它必须被除去。实际上，边缘珠粒会在曝光步骤期间阻止掩模尽可能靠近晶片，而这种间隙将导致设计中的分辨率损失。

通常，边缘去除是通过当在高速旋转向前注入bing酮的衬底的边缘完成。由于设备更大，这一步可以手动或自动完成。

检查措施

在这一步SU-8模具已经完成，但我们必须检查它是否符合我们的期望。为此，您必须在显微镜下观察它以进行第yi次目视检查。您可以使用光学或机械轮廓仪来测量层的深度。

SU8模具特点

1）利用光刻工艺，可实现微米级别特征图案的制备

2）模具机械强度强

3）实现结构的大深宽比

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