涡流法少子寿命

少子寿命是指非平衡少数载流子（如电子或空穴）从产生到复合消失的时间。少数载流子是指在半导体中占少数的载流子，例如在N型半导体中，空穴是少数载流子；在P型半导体中，电子是少数载流子。少子寿命的测量方法主要包括瞬态法和稳态法

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以使它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，不会产生空穴。而对于每个三价元素原子，它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。

少子浓度主要由本征激发决定，受温度影响较大。