什么是光刻掩模板
在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精i确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，称为光刻掩模版。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精i确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
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苏州制版提供包括全系列精度和面积的铬版和菲林版，光刻板，目前投入生产有多台激光直写设备以及电子束曝光设备。常规铬版CD精度±0.2um，高精石英铬版精度±0.07um。菲林版分辨率20um以上精度±2um。曝光设备外，还拥有全自动显影柜，可以批量进行显影处理，保证生产能力。在图形检验阶段我们拥有自动光学检验机台（AOI），通过图形逻辑对比分析取样，修补能力1.2um，精度±0.1um。可以有效地排除缺陷问题。
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刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的Zui后一步，即将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
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