氮化镓衬底厂家 恒迈瑞氮化镓晶片工厂
苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸氮化镓衬底,衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um,4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂,N型硅掺杂及镁掺杂。
氮化镓衬底尺寸:2inch 50.8mm±1mm
蓝宝石衬底厚度:430um
衬底结构:GaN-On-Sapphire
掺杂类型:N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向:C-plane(0001)A Axis0.2±0.1°
位错密度:≤5x108cm-2
包装方式:晶圆盒或Cassette盒
抛光要求:单抛/双抛
氮化镓材料(GalliumNitride,GaN)属于第三代半导体材料,其运行速度比传统Si硅技术加快了20倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于快速充电产品时,可以实现远远超过现有产品的性能,在尺寸相同的情况下,输出功率提高了三倍。氮化镓技术应用领域广阔,覆盖5G通信,人工智能,自动驾驶,数据中心,快充等等。