碳化硅衬底生产厂家 SiC衬底供应商
苏州恒迈瑞材料科技生产供应标准的2英寸3英寸4英寸6英寸碳化硅晶片,碳化硅材料有优良的热学、力学、化学和电学性质,不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一,也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅以4H为主,导电类型分为半绝缘型(非掺、掺杂)与N型。
碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶闸管(SiCThyristor),阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件具有良好的正向电流能力。碳化硅IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。与Si双极型晶体管相比,SiC双极型晶体管具有低20~50倍的开关损耗以及更低的导通压降。碳化硅BJT主要分为外延发射极和离子注入发射极BJT,典型的电流增益在10-50之间。