导电型SiC衬底片生产厂家 碳化硅晶片工厂
苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H-N导电型碳化硅SiC衬底片和4H-SI半绝缘型碳化硅SiC衬底晶片。
以SiC碳化硅材料为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高,击穿场强高,饱和电子漂移速率高,化学性能稳定,硬度高,抗磨损,高键和高能量以及抗辐射等优点,可广泛用于制造高温,高频,高功率,抗辐射,大功率和高密集集成电子器件,用SiC衬底开发的电力电子器件(SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等)用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域,降低电力损失,减少发热量,高温工作,提高效率,增加可靠性
产品类型:4H-SI碳化硅衬底
掺杂:钒掺杂
厚度:500um±25um
尺寸:2英寸,3英寸,4英寸,6英寸
晶向:On axis: <0001>±0.5°