氮化镓衬底晶片生产厂商苏州GaN衬底材料厂商
苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。
GaN氮化镓材料在电力电子器件领域多用于电源设备。由于结构中包含可以实现高速性能的异质结二维电子气，GaN氮化镓材料制作的器件相比于SiC碳化硅材料制作的器件拥有更高的工作频率，加之可承受电压要低于SiC碳化硅器件，氮化镓电力电子器件更适合高频率、小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域，如轻量化的消费电子电源适配器、无人机用超轻电源、无线充电设备等。
蓝宝石氮化镓衬底尺寸：2inch 50.8mm±1mm
蓝宝石衬底厚度：430um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis0.2±0.1°
位错密度：≤5x108cm-2
包装方式：晶圆盒或Cassette盒
