方形氮化镓衬底厂家 10*10.5mm氮化镓自支撑晶片厂商
苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm²方形氮化镓自支撑衬底片,衬底厚度350um±25um,掺杂类型分为N型非掺杂,硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓自支撑衬底晶片TTV≤10um,抛光类型可选单面抛光SSP或双面抛光DSP。
第三代半导体材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带化合物半导体。第一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限,在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效,而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。相比于第一代及第二代半导体材料,第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。在器件的性能对比上,GaN材料以及SiC材料在通态电阻以及击穿电压方面都具备较大的优势。