氮化镓自支撑衬底生产厂商 GaN晶片厂家
恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸和方形10*10.5mm2氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。
GaN氮化镓是射频器件的合适材料。目前射频市场主要有三种工艺： GaAs工艺，基于Si的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺，以及GaN工艺。GaAs器件的缺点是器件功率较低，低于50W。LDMOS器件的缺点是工作频率存在极限，Zui高有效频率在3GHz以下。GaN氮化镓材料弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现GaAs高频性能的结合了Si基LDMOS的功率处理能力。
氮化镓材料与Si/SiC相比有独特优势。GaN氮化镓与SiC碳化硅同属于第三代宽禁带半导体材料，相较于已经发展十多年的SiC，GaN氮化镓功率器件是后进者，它拥有类似SiC碳化硅性能优势的宽禁带材料，但拥有更大的成本控制潜力。与传统Si材料相比，基于GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率密度输出，以及更高的能量转换效率，并可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子装置的体积和重量，从而极大降低系统制作及生产成本。
