氮化镓Gan晶片生产厂家 2英寸氮化镓晶圆片工厂
氮化镓(GalliumNitride,GaN)属于第三代半导体材料,其运行速度比传统Si硅技术加快了20倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于快速充电产品时,可以实现远远超过现有产品的性能,在尺寸相同的情况下,输出功率提高了三倍。氮化镓技术应用领域广阔,覆盖5G通信,人工智能,自动驾驶,数据中心,快充等等。
GaN基新型电子器件:氮化镓材料具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。随着MBE技术在氮化镓材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v•s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV)及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。