氮化镓衬底晶片厂家蓝宝石氮化镓衬底晶片
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓衬底片,衬底结构为GaNonSapphire,尺寸目前有2英寸,4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂,及Mg镁掺杂,抛光要求可为单抛。
氮化镓衬底片尺寸:4inch 100mm±0.1mm
蓝宝石衬底厚度:650um
衬底结构:GaN-On-Sapphire
掺杂类型:N型非掺杂/N型硅掺杂/
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/20um±2um
晶向:C-plane(0001)A Axis0.2±0.1°
位错密度:≤5x108cm-2
包装方式:晶圆盒或Cassette盒
GaN氮化镓衬底材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继初代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。